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原子层沉积设备

样品尺寸:≤8英寸

工艺温度:<450℃

预驱动源管线:6组独立管线

等离子系统:100-3000W; 1.7-3MHz 

沉积材料:SiO2、Si3N4、TiN等。

均匀度:6英寸≤±3%


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